0,5 V Design-System
CSEM, ein Marktführer im Bereich von Ultra-Low-Power ASICs, und Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS, jetzt USJC), ein führender Wafer-Hersteller, haben in enger gemeinsamer Zusammenarbeit ein System mit einer „Near-Threshold“-Spannung von 0,5 V entwickelt; da der Leistungsverbrauch proportional zum Quadrat der elektrischen Versorgungsspannung ist, können bei gleicher Leistung enorme Energieeinsparungen erzielt werden. Die „Deeply Depleted Channel“-Technologie (DDC) von MIFS ist perfekt auf Low-Power-Anwendungen abgestimmt. Durch die Immunität gegen RDF (Random Dopant Fluctuation, zufällige Dotierstoffkonzentrationsstreuung) eignet sich die Lösung für den Niederspannungsbetrieb. Doch der Niederspannungsbetrieb unterliegt noch immer Prozess-, Temperatur- und anderen Schwankungen. Um die Auswirkungen solcher Schwankungen zu reduzieren, haben CSEM und MIFS eine Reihe von Designtechniken umgesetzt und ein Body-Bias-basiertes Adaptive Dynamic Frequency Scaling (ADVbbFS) als eine der wichtigsten IPs implementiert.
Ein unter Einsatz der C55DDC-Technologie entwickelter 32-Bit-RISC-Mikrocontroller wurde kürzlich auf der IEEE CICC in Austin, Texas, vorgestellt. Mit nur 2,5?w/MHZ präsentierte er einen neuen Weltrekord in einem 55-nm-CMOS-Prozess.
Keizaburo Yoshie, Senior Vice-President bei MIFS, sagte dazu: „Durch die Kombination der ULP-Technologie von CSEM mit der DDC-Prozesstechnologie von MIFS können IoT-Chips entwickelt werden, die in Sachen Energieeffizienz unschlagbar sind.“ Alain-Serge Porret, Vice-President Integrated & Wireless Systems bei CSEM, erklärte: „Das Low-Voltage-Design wird für zukünftige IoT-Geräte ausschlaggebend sein; es ist toll, mit MIFS zusammenzuarbeiten, um diesen Traum Wirklichkeit werden zu lassen.“